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FQT4N20LTF 場效應(yīng)管 ON 封裝SOT223 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：FQT4N20LTF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：PLC
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-30 22:43:23
  • 瀏覽次數(shù)：8
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：745條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時(shí)間：2023-06-30
  • 最近登錄：2023-06-30
  • 聯(lián)系人：劉先生
  • 電    話：13430992740
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：ON型號：FQT4N20LTF封裝：SOT223批次：21+數(shù)量：8000制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是技術(shù)：Si安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-223-4通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：200VId-連續(xù)漏極電流：850mARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON
型號：FQT4N20LTF
封裝：SOT223
批次：21+
數(shù)量：8000
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SOT-223-4
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：200 V
Id-連續(xù)漏極電流：850 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散： W
配置：Single
通道模式：Enhancement
高度： mm
長度： mm
系列：FQT4N20L
晶體管類型：1 N-Channel
類型：MOSFET
寬度： mm
商標(biāo)：ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值： S
下降時(shí)間：40 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時(shí)間：70 ns
工廠包裝數(shù)量：4000
子類別：MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：15 ns
典型接通延遲時(shí)間：7 ns
單位重量：112 mg
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