產品簡介
技術參數品牌:ST/意法半導體型號:STB21N90K5批號:2021封裝:TO-263-3數量:16226QQ:制造商:STMicroelectronics產品種類:MOSFETRoHS:是安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:TO-263-3晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:900VId-連續漏極電流:18
詳情介紹

技術參數
| 品牌: | ST/意法半導體 |
| 型號: | STB21N90K5 |
| 批號: | 2021 |
| 封裝: | TO-263-3 |
| 數量: | 16226 |
| QQ: | |
| 制造商: | STMicroelectronics |
| 產品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安裝風格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TO-263-3 |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 900 V |
| Id-連續漏極電流: | 18.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻: | 299 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | 30 V |
| Qg-柵極電荷: | 43 nC |
| 最小工作溫度: | - 55 C |
| 工作溫度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 250 W |
| 系列: | STB21N90K5 |
| 單位重量: | 4 g |
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