產品簡介
技術參數品牌：ST型號：STW32NM50N批號：21+封裝：N/A數量：9000QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-247-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：500VId-連續漏極電流：13
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STW32NM50N |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | N/A |
| 數量： | 9000 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 500 V |
| Id-連續漏極電流： | 13.86 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 130 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 25 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 4 V |
| Qg-柵極電荷： | 62.5 nC |
| Pd-功率耗散： | 190 W |
| 商標名： | MDmesh |
| 封裝： | Tube |
| 配置： | Single |
| 系列： | STW32NM50N |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 商標： | STMicroelectronics |
| 下降時間： | 23.6 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 9.5 ns |
| 工廠包裝數量： | 600 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 110 ns |
| 典型接通延遲時間： | 21.5 ns |
| 單位重量： | 38 g |
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