技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ON |
| 型號： | FQD19N10TF |
| 批號： | 2021+ |
| 封裝： | TO-252 |
| 數(shù)量： | 64656 |
| QQ： | |
| 對無鉛要求的達標情況： | 無鉛 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 類別： | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | QFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）： | （Tc） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）： | 100 毫歐 @ ，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（值）： | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 25nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±25V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）： | 780pF @ 25V |
| 功率耗散（值）： | （Ta），50W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
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