技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | INFINEON |
| 型號： | IRFH4209DTRPBF |
| 批號： | 2021+ |
| 封裝： | PQFN5X6 |
| 數(shù)量： | 38452 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN |
| 對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況： | 無鉛 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 詳細(xì)描述： | 表面貼裝型-N-通道-25V-44A（Ta）-260A（Tc）-（Ta）-125W（Tc）-PQFN（5x6） |
| 數(shù)據(jù)列表： | IRFH4209DPbF; |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 4,000 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)卷帶 |
| 零件狀態(tài)： | 停產(chǎn) |
| 類別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | FASTIRFET™，HEXFET® |
| 其它名稱： | SP001554690 |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 25V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）： | 44A（Ta），260A（Tc） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | ，10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）： | 毫歐 @ 50A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（值）： | @ 100µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 74nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）： | 4620pF @ 13V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | （Ta），125W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝： | PQFN（5x6） |
| 封裝/外殼： | 8-PowerTDFN |
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