技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ON |
| 型號(hào)： | NTD60N02RT4G |
| 批號(hào)： | 2021+ |
| 封裝： | TO-252 |
| 數(shù)量： | 100279 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V DPAK |
| 對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況： | 無(wú)鉛 |
| 濕氣敏感性等級(jí) （MSL）： | 1（無(wú)限） |
| 詳細(xì)描述： | 表面貼裝型-N-通道-25V-（Ta）-32A（Tc）-（Ta）-58W（Tc）-DPAK |
| 數(shù)據(jù)列表： | NTD60N02R; |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)卷帶 |
| 零件狀態(tài)： | 停產(chǎn) |
| 類別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) |
| 系列： | - |
| 其它名稱： | NTD60N02RT4GOS |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 25V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）： | （Ta），32A（Tc） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | ，10V |
| 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（值）： | 毫歐 @ 20A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（值）： | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（值）： | 14nC @ |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（值）： | 1330pF @ 20V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | （Ta），58W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝： | DPAK |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
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