| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特點(diǎn) | Standard |
| 漏極至源極電壓（VDSS） | 400V |
| 電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C | 5.5A |
| Rds（）@ ID，VGS | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
| VGS（TH）（）@ Id | 4V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）@ VGS | 38nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）@ Vds的 | 700pF @ 25V |
| 功率 - | 3.1W |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |
| 包裝材料 | Tube |
| 門源電壓 | ±20 |
| 歐盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 工作溫度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 | D2PAK |
| 工作溫度 | -55 |
| 渠道類型 | N |
| 漏源電阻 | 1000@10V |
| 漏源電壓 | 400 |
| 每個(gè)芯片的元件數(shù) | 1 |
| 供應(yīng)商封裝形式 | TO-263AB |
| 功率耗散 | 3100 |
| 連續(xù)漏極電流 | 5.5 |
| 引腳數(shù) | 3 |
| 鉛形狀 | Gull-wing |
| 單位包 | 0 |
| 最小起訂量 | 1 |
| FET特點(diǎn) | Standard |
| 封裝 | Tube |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C | 5.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封裝/外殼 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 | D2PAK |
| 其他名稱 | *IRF730S |
| 開態(tài)Rds（）@ Id ，V GS | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 3.1W |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 400V |
| 輸入電容（Ciss ） @ VDS | 700pF @ 25V |
| 閘電荷（Qg ） @ VGS | 38nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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