Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET設計用于在功率轉換應用中限度地降低損耗。這些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低熱阻。這些器件可以耐受雪崩，采用SON5mmx6mm塑料封裝。
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產品型號 | 制造商 | 產品種類 | RoHS | 封裝 | 晶體管極性 | Qg-柵極電荷 | MIN工作溫度 |
CSD19505KCS | TI | MOSFET |
| TO-220-3 | N-Channel | 76nC | -55℃ |
通道數量 | Vds-漏源極擊穿電壓 | Id-連續漏極電流 | Rds On-漏源導通電阻 | Vgs-柵極-源極電壓 | Vgs th-柵源極閾值電壓 | MAX工作溫度 |
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1Channel | 80V | 100A | 3.1mOhms | -20V,+20V | 2.6V | +175℃ |
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