技術參數
| 品牌： | NXP |
| 型號： | MRF6V3090NBR1 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | NXP |
| 產品種類： | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 技術： | Si |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 115 V |
| 增益： | 22 dB |
| 輸出功率： | 18 W |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-270-4 |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Single |
| 工作頻率： | 0.47 GHz to 0.86 GHz |
| 系列： | MRF6V3090N |
| 類型： | RF Power MOSFET |
| 商標： | NXP Semiconductors |
| 濕度敏感性： | Yes |
| 產品類型： | RF MOSFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.4 V |
| 零件號別名： | |
| 單位重量： | 2 g |
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