產品簡介
技術參數品牌：NXP型號：MRF8P8300HSR6批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-Channel技術：SiVds-漏源極擊穿電壓：70V增益：20
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | NXP |
| 型號： | MRF8P8300HSR6 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | NXP |
| 產品種類： | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 技術： | Si |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 70 V |
| 增益： | 20.9 dB |
| 輸出功率： | 96 W |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | NI-1230S |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Single |
| 工作頻率： | 0.79 GHz to 0.82 GHz |
| 系列： | MRF8P8300H |
| 商標： | NXP Semiconductors |
| 產品類型： | RF MOSFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 150 |
| 子類別： | MOSFETs |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.3 V |
| 零件號別名： | |
| 單位重量： | 8.518 g |
- 上一篇： NXP MMRF1020-04NR3 射頻金屬氧化物半
- 下一篇： NXP MMRF1008HSR5 射頻金屬氧化物半導
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。