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深圳市興華芯科技有限公司

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深圳市興華芯科技有限公司
當前位置：深圳市興華芯科技有限公司>> AFIC10275GNR1NXP AFIC10275GNR1 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

NXP AFIC10275GNR1 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號：AFIC10275GNR1
  • 品牌：
  • 產品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
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  • 更新時間：2023-08-23 16:38:31
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其他

  • 經營模式：其他
  • 商鋪產品：1083條
  • 所在地區：
  • 注冊時間：2023-08-09
  • 最近登錄：2023-08-09
  • 聯系人：顧先生
  • 電    話：15205529633
產品簡介

技術參數品牌：NXP型號：AFIC10275GNR1批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管晶體管極性：詳細信息技術：N-ChannelId-連續漏極電流：SiVds-漏源極擊穿電壓：1

詳情介紹


技術參數

品牌：NXP
型號：AFIC10275GNR1
批號：20+
封裝：
數量：1000
QQ：
制造商：NXP
產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
晶體管極性：詳細信息
技術：N-Channel
Id-連續漏極電流：Si
Vds-漏源極擊穿電壓：1.6 A
增益：- 500 mV, 100 V
輸出功率：32.1 dB
最小工作溫度：250 W
工作溫度：- 40 C
安裝風格：+ 150 C
封裝 / 箱體：SMD/SMT
封裝：TO-270WBG-14
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