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當(dāng)前位置：深圳市興華芯科技有限公司>> AFT09MS031GNR1NXP 場(chǎng)效應(yīng)管 AFT09MS031GNR1 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 MV9 800MHZ13.6V

NXP 場(chǎng)效應(yīng)管 AFT09MS031GNR1 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 MV9 800MHZ13.6V

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：AFT09MS031GNR1
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-08-23 19:17:50
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  • 商鋪產(chǎn)品：1083條
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：NXP型號(hào)：AFT09MS031GNR1批號(hào)：20+封裝：數(shù)量：1000QQ：制造商：NXP產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RFMOSFET)晶體管RoHS：是技術(shù)：SiVds-漏源極擊穿電壓：-500mV,40V增益：18

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：NXP
型號(hào)：AFT09MS031GNR1
批號(hào)：20+
封裝：
數(shù)量：1000
QQ：
制造商：NXP
產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS：是
技術(shù)：Si
Vds-漏源極擊穿電壓：- 500 mV, 40 V
增益：18.5 dB
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-270-2
封裝：Cut Tape
封裝：MouseReel
封裝：Reel
工作頻率：764 MHz to 941 MHz
系列：AFT09MS031N
類型：RF Power MOSFET
商標(biāo)：NXP Semiconductors
濕度敏感性：Yes
產(chǎn)品類型：RF MOSFET Transistors
工廠包裝數(shù)量：500
子類別：MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓：- 6 V, 12 V
零件號(hào)別名：
單位重量：548 mg
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