產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：IRFBE30PBF批號：21+封裝：TO-220數量：1014000QQ：制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220AB-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：800VId-連續漏極電流：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | IRFBE30PBF |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO-220 |
| 數量： | 1014000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220AB-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 800 V |
| Id-連續漏極電流： | 4.1 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 3 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2 V |
| Qg-柵極電荷： | 78 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 125 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 15.49 mm |
| 長度： | 10.41 mm |
| 系列： | IRFBE |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 4.7 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 2.5 S |
| 下降時間： | 30 ns |
| 上升時間： | 33 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 82 ns |
| 典型接通延遲時間： | 12 ns |
| 單位重量： | 6 g |
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