產品簡介
技術參數品牌：DIODES/美臺型號：DMN10H099SFG-7封裝：POWERDI3333-8批次：21+數量：6000制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerDI3333-8晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：100VId-連續漏極電流：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | DIODES/美臺 |
| 型號： | DMN10H099SFG-7 |
| 封裝： | POWERDI3333-8 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 6000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerDI3333-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續漏極電流： | 4.2 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 54 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 25.2 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 980 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | DMN10 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 下降時間： | 7.3 ns |
| 上升時間： | 5.9 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 20 ns |
| 典型接通延遲時間： | 5.4 ns |
| 單位重量： | 72 mg |
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