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IRFI4019H-117P 場效應(yīng)管 IR MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A for Digital Audio

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:IRFI4019H-117P
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-04 14:52:38
  • 瀏覽次數(shù):5
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1035條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-08-28
  • 最近登錄:2023-08-28
  • 聯(lián)系人:甘總
  • 電    話:18902484130
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:IR型號:IRFI4019H-117P批號:封裝:數(shù)量:5000QQ:制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風格:ThroughHole封裝/箱體:TO-220-3通道數(shù)量:2Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150VId-連續(xù)漏極電流:8

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:IR
型號:IRFI4019H-117P
批號:
封裝:
數(shù)量:5000
QQ:
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:8.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:80 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:13 nC
最小工作溫度:- 40 C
Pd-功率耗散:18 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:15.65 mm
長度:10 mm
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:4.4 mm
商標:Infineon / IR
下降時間:3.1 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:6.6 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:13 ns
典型接通延遲時間:7 ns
零件號別名:SP001560458
單位重量:6 g
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