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深圳市潤(rùn)百信科技有限公司

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當(dāng)前位置：深圳市潤(rùn)百信科技有限公司>>集成電路>>時(shí)鐘/計(jì)時(shí)/實(shí)時(shí)時(shí)鐘>> IPG20N10S4L-35INFINEON 集成電路、處理器、微控制器 IPG20N10S4L-35 MOSFET MOSFET

INFINEON 集成電路、處理器、微控制器 IPG20N10S4L-35 MOSFET MOSFET

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IPG20N10S4L-35
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類(lèi)別：時(shí)鐘/計(jì)時(shí)/實(shí)時(shí)時(shí)鐘
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-08-28 19:57:08
  • 瀏覽次數(shù)：6
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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：999條
  • 所在地區(qū)：
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  • 聯(lián)系人：熊先生
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：INFINEON
型號(hào)：IPG20N10S4L-35
批號(hào)：21+
封裝：TDSON-8
數(shù)量：39200
QQ：
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：PG-TDSON-8
通道數(shù)量：2 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：100 V
Id-連續(xù)漏極電流：20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：35 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓： V
Qg-柵極電荷： nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：43 W
配置：Dual
通道模式：Enhancement
資格：AEC-Q101
高度： mm
長(zhǎng)度： mm
系列：XPG20N10
晶體管類(lèi)型：2 N-Channel
寬度： mm
下降時(shí)間：13 ns
上升時(shí)間：2 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：18 ns
典型接通延遲時(shí)間：3 ns
零件號(hào)別名：IPG20N10S4L35ATMA1 SP000859022 IPG2N1S4L35XT IPG20N10S4L35ATMA1
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