產品簡介
技術參數品牌：INFINEON型號：IPW60R099C6批號：封裝：數量：1000QQ：制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-247-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：600VId-連續漏極電流：37
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | INFINEON |
| 型號： | IPW60R099C6 |
| 批號： |
| 封裝： |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續漏極電流： | 37.9 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 90 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 119 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 278 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | CoolMOS |
| 封裝： | Tube |
| 高度： | 21.1 mm |
| 長度： | 16.13 mm |
| 系列： | CoolMOS C6 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 5.21 mm |
| 商標： | Infineon Technologies |
| 下降時間： | 6 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 12 ns |
| 工廠包裝數量： | 240 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 75 ns |
| 典型接通延遲時間： | 15 ns |
| 零件號別名： | IPW60R099C6FKSA1 SP000641908 IPW6R99C6XK IPW60R099C6FKSA1 |
| 單位重量： | 38 g |
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