二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件,是世界上種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦阅堋⒄鞴δ堋?br/>
二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。
晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。
當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定數(shù)值,內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱,特性電流迅速增長(zhǎng),二極管正向?qū)ā=凶鲩T坎電壓或閾值電壓,硅管約為,鍺管約為。硅二極管的正向?qū)▔航导s為~,鍺二極管的正向?qū)▔航导s為~。
鍺二極管,開(kāi)啟電壓為V,導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓,當(dāng)電壓值較小時(shí),電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí),電流開(kāi)始急劇增大,稱之為反向擊穿,稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,從幾十伏到幾千伏。
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