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IGBT在關(guān)斷過(guò)程中，漏電流的波形變?yōu)閮啥巍Ｒ驗(yàn)镸OSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除，造成漏電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間，td(off)為關(guān)斷延遲時(shí)間，trv為電壓Uds(f)的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏電流的關(guān)斷時(shí)間。



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