上海菲茲電子科技有限公司代理功率半導體產品及配套器件，的IGBT以及配套驅動網上供應商，是功率半導體行業企業。公司憑借多年的從業經驗、不懈的開拓精神及良好的商業信譽，在電力電子行業樹立了良好的企業形象，同時菲茲與多家電力電子行業和上市公司長期保持著穩定互信的合作關系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、英飛凌、富士通、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）的誠信代理商和分銷商。通過多年的實戰經驗，菲茲人積累了堅實的功率半導體應用知識，為電力拖動、風力發電、電焊機、變頻器、高頻感應加熱、逆變電源、電力機車等行業提供*的解決方案，為客戶提技術支持！
整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。
全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構成的。

整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出，整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的，在熱源（二極管）的正上方其表面溫度達到109 ℃，然而在整流橋的中間位置，遠離熱源處卻只有75 ℃，其表面的溫差可達到34℃左右。這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導熱性能較差的FR4（其導熱系數小于3.0W/m.℃），因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時，這也驗證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計算的殼溫時，對測溫熱電偶位置的放置不同，得到的結果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進一步說明，在整流橋內部由于器封裝材料是導熱性能較差的FR4，所以其內部的溫度分布極不均勻。我們以后在測量或分析整流橋或相關的其它功率元器件溫度分布時，應著重注意該現象，力圖避免該影響對測量或測試結果產生的影響。

整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣塑料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強散熱性能。

整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。
我司主營產品如下：
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產品；
2、CDE、EACO、日立全系列電容產品；
3、富士、三菱、英飛凌、西門康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產品；
4、建準全系列風機；
5、CONCEPT及驅動板；
6、富士通單片機及其它配套產品