N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子,如磷等。摻入后,它與硅原子形成共價鍵,產生了自由電子。在N型半導體中,電子為多數載流子,空穴為少數載流子。

在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素,便形成了P型區和N型區,根據N型半導體和P型半導體的特性,可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散,它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。

在穩壓電路中通常需要使用齊納二極管,它是一種利用特殊工藝制造的面結型硅把半導體二極管,這種特殊二極管雜質濃度比較高,空間電荷區內的電荷密度大,容易形成強電場。當齊納二極管兩端反向電壓加到某一值,反向電流急增,產生反向擊穿。

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件,是世界上種半導體器件,具有單向導電性能、整流功能。
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