產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI3456DDV-T1-GE3批號：封裝：TSOP-6數量：20QQ：制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TSOP-6通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：6
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI3456DDV-T1-GE3 |
| 批號： |
| 封裝： | TSOP-6 |
| 數量： | 20 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TSOP-6 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 6.3 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 40 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.2 V |
| Qg-柵極電荷： | 6 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.7 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | SI3 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 正向跨導 - 最小值： | 15 S |
| 下降時間： | 11 ns |
| 上升時間： | 9 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 11 ns |
| 典型接通延遲時間： | 4 ns |
| 零件號別名： | SI3456DDV-GE3 |
| 單位重量： | 20 mg |
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