產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI9407BDY-T1-GE3批號：18+封裝：SOIC-8數量：1306QQ：制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI9407BDY-T1-GE3 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 數量： | 1306 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SO-8 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 4.7 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 120 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 14.5 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | SI9 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 正向跨導 - 最小值： | 8.5 nS |
| 下降時間： | 30 ns |
| 上升時間： | 70 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 35 ns, 40 ns |
| 典型接通延遲時間： | 10 ns, 30 ns |
| 零件號別名： | SI9407BDY-GE3 |
| 單位重量： | 506.600 mg |
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