技術參數(shù)
| 品牌： | INFINEON |
| 型號： | IRF6620TRPBF |
| 批號： | 10+ |
| 封裝： | SOP-8 |
| 數(shù)量： | 4798 |
| QQ： | |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 類別： | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 20V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 27A（Ta），150A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 2.7 毫歐 @ 27A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.45V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 42nC @ 4.5V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 4130pF @ 10V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 2.8W（Ta），89W（Tc） |
| 工作溫度： | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | DirectFET™ 等容 MX |
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