技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | NTD5867NLT4G |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | NA |
| 數量： | 217 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-4 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 20 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 39 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 15 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 36 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 正向跨導 - 最小值： | 8 S |
| 下降時間： | 2.4 ns |
| 上升時間： | 12.6 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 18.2 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6.5 ns |
| 單位重量： | 4 g |
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