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深圳市廣鑫世紀(jì)電子有限公司

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ON/安森美 場效應(yīng)管 FDD3510H MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：FDD3510H
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-10-16 20:58:55
  • 瀏覽次數(shù)：7
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1039條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-09-07
  • 最近登錄：2023-09-07
  • 聯(lián)系人：林小姐
  • 電    話：15989891386
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：ON/安森美型號：FDD3510H批號：19+封裝：NA數(shù)量：22500QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是技術(shù)：Si安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-5通道數(shù)量：2Channel晶體管極性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：80VId-連續(xù)漏極電流：4

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON/安森美
型號：FDD3510H
批號：19+
封裝：NA
數(shù)量：22500
QQ：
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-252-5
通道數(shù)量：2 Channel
晶體管極性：N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：80 V
Id-連續(xù)漏極電流：4.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：80 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：3.1 W
配置：Dual
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：PowerTrench
封裝：Cut Tape
封裝：MouseReel
封裝：Reel
高度：2.39 mm
長度：6.73 mm
系列：FDD3510H
晶體管類型：1 N-Channel, 1 P-Channel
寬度：6.22 mm
商標(biāo)：ON Semiconductor / Fairchild
下降時間：2 ns, 5 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時間：2 ns, 3 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
子類別：MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間：16 ns, 25 ns
典型接通延遲時間：7 ns, 6 ns
單位重量：260.370 mg
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