技術參數(shù)
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | NTMFD4C20NT1G |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | NA |
| 數(shù)量： | 1268 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V SO8FL |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標準交貨期： | 18 周 |
| 詳細描述： | MOSFET-陣列-2-N-通道（雙）-30V-9.1A-13.7A-1.09W-1.15W-表面貼裝型-8-DFN（5x6）雙標記（SO8FL-雙通道-非對稱） |
| 數(shù)據(jù)列表： | NTMFD4C20N; |
| 標準包裝： | 1,500 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態(tài)： | 有源 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 |
| 系列： | - |
| 其它名稱： | NTMFD4C20NT1G-ND |
| FET 類型： | 2 N-通道（雙） |
| FET 功能： | 標準 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 9.1A，13.7A |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 7.3 毫歐 @ 10A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 9.3nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 970pF @ 15V |
| 功率 - 值： | 1.09W，1.15W |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | 8-PowerTDFN |
| 供應商器件封裝： | 8-DFN（5x6）雙標記（SO8FL-雙通道-非對稱） |
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