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深圳市廣鑫世紀(jì)電子有限公司

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當(dāng)前位置：深圳市廣鑫世紀(jì)電子有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> BC858BWT1GON/安森美 三極管 BC858BWT1G 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 100mA 30V PNP

ON/安森美 三極管 BC858BWT1G 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 100mA 30V PNP

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：BC858BWT1G
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-10-17 08:49:04
  • 瀏覽次數(shù)：7
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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1039條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-09-07
  • 最近登錄：2023-09-07
  • 聯(lián)系人：林小姐
  • 電    話：15989891386
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON/安森美
型號(hào)：BC858BWT1G
批號(hào)：19+
封裝：NA
數(shù)量：1410
QQ：
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SC-70-3
晶體管極性：PNP
配置：Single
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO：- 30 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 30 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—射極飽和電壓：- 0.65 V
直流電集電極電流：0.1 A
Pd-功率耗散：150 mW
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
系列：BC858BW
封裝：Cut Tape
封裝：MouseReel
封裝：Reel
高度：0.85 mm
長(zhǎng)度：2.1 mm
技術(shù)：Si
寬度：1.24 mm
商標(biāo)：ON Semiconductor
集電極連續(xù)電流：- 0.1 A
直流集電極/Base Gain hfe Min：150
產(chǎn)品類型：BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數(shù)量：3000
子類別：Transistors
單位重量：6.200 mg
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