技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | TI |
| 型號(hào)： | CSD19505KCS |
| 批號(hào)： | 21+ |
| 封裝： | NA |
| 數(shù)量： | 3000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 產(chǎn)品種類(lèi)： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 80 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 100 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 3.1 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.6 V |
| Qg-柵極電荷： | 76 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 300 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 16.51 mm |
| 長(zhǎng)度： | 10.67 mm |
| 系列： | CSD19505KCS |
| 晶體管類(lèi)型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 4.7 mm |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 262 S |
| 下降時(shí)間： | 6 ns |
| 上升時(shí)間： | 16 ns |
| 單位重量： | 6 g |
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