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ZXMC3A16DN8TA 場效應(yīng)管 DIODES/美臺 封裝21+ 批次SO8

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：ZXMC3A16DN8TA
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：沖壓加工
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-10-27 11:02:51
  • 瀏覽次數(shù)：13
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1053條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-10-27
  • 最近登錄：2023-10-27
  • 聯(lián)系人：李先生
  • 電    話：18665383243

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：DIODES/美臺型號：ZXMC3A16DN8TA封裝：21+批次：SO8數(shù)量：5000制造商：DiodesIncorporated產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8通道數(shù)量：2Channel晶體管極性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續(xù)漏極電流：6

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：DIODES/美臺
型號：ZXMC3A16DN8TA
封裝：21+
批次：SO8
數(shù)量：5000
制造商：Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SO-8
通道數(shù)量：2 Channel
晶體管極性：N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：30 V
Id-連續(xù)漏極電流：6.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：35 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.1 W
配置：Dual
通道模式：Enhancement
高度：1.5 mm
長度：5 mm
系列：ZXMC3
晶體管類型：1 N-Channel, 1 P-Channel
寬度：4 mm
下降時間：9.4 ns
上升時間：6.4 ns
典型關(guān)閉延遲時間：21.6 ns
典型接通延遲時間：3 ns
單位重量：74 mg
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