產品簡介
技術參數品牌：ST/意法型號：STD2HNK60Z封裝：21+批次：NA數量：5000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：600VId-連續漏極電流：2ARdsOn-漏源導通電阻：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST/意法 |
| 型號： | STD2HNK60Z |
| 封裝： | 21+ |
| 批次： | NA |
| 數量： | 5000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續漏極電流： | 2 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 4.8 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 3 V |
| Qg-柵極電荷： | 11 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 45 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降時間： | 50 ns |
| 正向跨導 - 最小值： | 1.5 S |
| 高度： | 2.4 mm |
| 長度： | 6.6 mm |
| 上升時間： | 30 ns |
| 系列： | STD2HNK60Z |
| 晶體管類型： | 23 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 10 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6.2 mm |
| 寬度： | 330 mg |
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