技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型號： | SI1902CDL-T1-GE3 |
| 封裝： | 21+ |
| 批次： | SC-70 |
| 數(shù)量： | 5000 |
| 制造商： | Vishay |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SC-70 |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 1.1 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 235 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 12 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 600 mV |
| Qg-柵極電荷： | 2 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 420 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標(biāo)名： | TrenchFET |
| 高度： | 0.75 mm |
| 長度： | 2.05 mm |
| 系列： | SI1 |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 寬度： | 2.05 mm |
| 商標(biāo)： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 3 mS |
| 下降時間： | 10 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 13 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 13 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6 ns |
| 零件號別名： | SI1958DH-T1-GE3 |
| 單位重量： | 28 mg |
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