技術參數
| 品牌： | ST/意法 |
| 型號： | STD10NM60N |
| 封裝： | 21+ |
| 批次： | DPAK |
| 數量： | 5000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續漏極電流： | 10 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 550 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 25 V |
| Qg-柵極電荷： | 19 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 70 W |
| 配置： | Single |
| 系列： | STD10NM60N |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 下降時間： | 15 ns |
| 上升時間： | 12 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 32 ns |
| 典型接通延遲時間： | 10 ns |
| 單位重量： | 4 g |
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