技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | TI/德州儀器 |
| 型號： | CSD87350Q5D |
| 封裝： | 21+ |
| 批次： | LSON-CLIP-8 |
| 數(shù)量： | 5000 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | LSON-CLIP-8 |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 40 A |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 5 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V, 750 mV |
| Qg-柵極電荷： | 8.4 nC, 20 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 12 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.5 mm |
| 長度： | 6 mm |
| 系列： | CSD87350Q5D |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 寬度： | 5 mm |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 97 S, 157 S |
| 下降時間： | 2.3 ns, 4.7 ns |
| 上升時間： | 17 ns, 10 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 13 ns, 33 ns |
| 典型接通延遲時間： | 7 ns, 8 ns |
| 單位重量： | 162 mg |
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