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DMN2016LHAB-7 場(chǎng)效應(yīng)管 DIODES/美臺(tái) 封裝21+ 批次DFN2030

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：DMN2016LHAB-7
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：沖壓加工
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-10-27 15:38:06
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1053條
  • 所在地區(qū)：
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  • 聯(lián)系人：李先生
  • 電    話：18665383243
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：DIODES/美臺(tái)型號(hào)：DMN2016LHAB-7封裝：21+批次：DFN2030數(shù)量：5000制造商：DiodesIncorporated產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是技術(shù)：Si安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：U-DFN2030-6通道數(shù)量：2Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續(xù)漏極電流：7

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：DIODES/美臺(tái)
型號(hào)：DMN2016LHAB-7
封裝：21+
批次：DFN2030
數(shù)量：5000
制造商：Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：U-DFN2030-6
通道數(shù)量：2 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：20 V
Id-連續(xù)漏極電流：7.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：30 mOhms
配置：Dual
系列：DMN2016
晶體管類型：2 N-Channel
商標(biāo)：Diodes Incorporated
產(chǎn)品類型：MOSFET
工廠包裝數(shù)量：3000
子類別：MOSFETs
單位重量：12 mg
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