基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜

　　將兩層單層CVD石墨烯膜轉移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上

　　尺寸：1cmx1cm; 4片

　　將每個石墨烯膜連續(xù)轉移到晶片上

　　我們的石墨烯薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制

　　該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98％

　　石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機殘留物

　　每個石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層）

　　由于沒有A-B堆疊順序。石墨烯薄膜彼此隨機取向。

　　薄層電阻：215-700Ω/平方

　　硅/二氧化硅晶圓的特性：

　　氧化層厚度：285nm

　　顏色：紫羅蘭色

　　晶圓厚度：525微米

　　電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米

　　型號/摻雜劑：P /硼

　　方向 lt;100>

　　前表面：拋光

　　背面：蝕刻

　　應用：

　　石墨烯電子和晶體管

　　導電涂料

　　航空航天工業(yè)應用

　　支持金屬催化劑

　　微執(zhí)行器

　　MEMS和NEMS

　　化學和生物傳感器

　　基于石墨烯的多功能材料

　　石墨烯研究