硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度 gt; 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
泰州巨納新能源有限公司
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| 參 考 價(jià): | 面議 |
硅基底石墨烯(1*1''單層)GrapheneonSi 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度gt
硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度 gt; 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
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