產品簡介
技術參數品牌：ONSEMICONDUCTOR型號：2N7002WT1G數量：5000制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SC-70-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：310mARdsOn-漏源導通電阻：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON SEMICONDUCTOR |
| 型號： | 2N7002WT1G |
| 數量： | 5000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SC-70-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 310 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | 1.6 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 280 mW |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.85 mm |
| 長度： | 2.1 mm |
| 系列： | 2N7002W |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 1.24 mm |
| 下降時間： | 9 ns |
| 上升時間： | 9 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 55.8 ns |
| 典型接通延遲時間： | 12.2 ns |
| 單位重量： | 6.200 mg |
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