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技術參數品牌：STMICROELECTRONICS型號：MMBT3906數量：5000類別：分立半導體產品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個制造商：STMicroelectronics晶體管類型：PNP電流-集電極(Ic)（值）：200mA電壓-集射極擊穿（值）：40V不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降（值）：400mV@5mA
| 品牌： | STMICROELECTRONICS |
| 型號： | MMBT3906 |
| 數量： | 5000 |
| 類別： | 分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 晶體管類型： | PNP |
| 電流 - 集電極 (Ic)（值）： | 200 mA |
| 電壓 - 集射極擊穿（值）： | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 時 Vce 飽和壓降（值）： | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）： | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 值： | 350 mW |
| 頻率 - 躍遷： | 250MHz |
| 工作溫度： | 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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