技術參數
| 品牌： | STMICROELECTRONICS |
| 型號： | STGW60H65DFB |
| 數量： | 5000 |
| 類別： | 分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| IGBT 類型： | 溝槽型場截止 |
| 電壓 - 集射極擊穿（值）： | 650 V |
| 電流 - 集電極 (Ic)（值）： | 80 A |
| 電流 - 集電極脈沖 (Icm)： | 240 A |
| 不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（值）： | 2V @ 15V，60A |
| 功率 - 值： | 375 W |
| 開關能量： | 1.09mJ（開），626µJ（關） |
| 輸入類型： | 標準 |
| 柵極電荷： | 306 nC |
| 25°C 時 Td（開/關）值： | 51ns/160ns |
| 測試條件： | 400V，60A，5 歐姆，15V |
| 反向恢復時間 (trr)： | 60 ns |
| 工作溫度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-247-3 |
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