產品簡介
技術參數品牌：ON型號：FGL60N100BNTDTU批號：20+封裝：TO-264數量：5250QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：IGBT晶體管RoHS：是技術：Si封裝/箱體：TO-264-3安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：1000V集電極—射極飽和電壓：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | FGL60N100BNTDTU |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | TO-264 |
| 數量： | 5250 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | IGBT 晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 封裝 / 箱體： | TO-264-3 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 1000 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 1.5 V |
| 柵極/發射極電壓： | 25 V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 60 A |
| Pd-功率耗散： | 180 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 系列： | FGL60N100BNTD |
| 封裝： | Tube |
| 集電極連續電流 Ic： | 60 A |
| 高度： | 26 mm |
| 長度： | 20 mm |
| 寬度： | 5 mm |
| 商標： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 集電極連續電流： | 60 A |
| 柵極—射極漏泄電流： | +/- 500 nA |
| 產品類型： | IGBT Transistors |
| 工廠包裝數量： | 375 |
| 子類別： | IGBTs |
| 零件號別名： | FGL60N100BNTDTU_NL |
| 單位重量： | 6.756 g |
- 上一篇： ON 三極管 MJD31CT4G 雙極晶體管 - 雙
- 下一篇： ON 場效應管 CPH3362-TL-W MOSFET P-CH
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。