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ON 場效應(yīng)管 FDP51N25 MOSFET 250V N-Channel MOSFET

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：FDP51N25
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他場效應(yīng)管
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-10-31 07:23:26
  • 瀏覽次數(shù)：5
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：957條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時(shí)間：2023-10-30
  • 最近登錄：2023-10-30
  • 聯(lián)系人：周先生
  • 電    話：15012463773

產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON
型號：FDP51N25
批號：1920
封裝：TO-220(TO-220-3)
數(shù)量：20000
QQ：
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：Through Hole
封裝 / 箱體：TO-220-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：250 V
Id-連續(xù)漏極電流：51 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：60 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：30 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：320 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
高度：16.3 mm
長度：10.67 mm
系列：FDP51N25
晶體管類型：1 N-Channel
寬度：4.7 mm
下降時(shí)間：130 ns
上升時(shí)間：465 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：98 ns
典型接通延遲時(shí)間：62 ns
單位重量：1.800 g
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