技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI4398DY-T1-E3 |
| 批號： | 1129+ |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 數量： | 2755 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-N-通道-20V-19A（Ta）-1.6W（Ta）-8-SO |
| 數據列表： | SI4398DY; |
| 標準包裝： | 2,500 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態： | 停產 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | - |
| 其它名稱： | SI4398DY-T1-E3TR |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 20V |
| 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）： | 19A（Ta） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）： | 2.8 毫歐 @ 25A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（值）： | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 50nC @ 4.5V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）： | 5620pF @ 10V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 1.6W（Ta） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | 8-SO |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
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