技術參數
| 品牌： | MICRON/鎂光 |
| 型號： | MT8JTF51264AZ-1G6E1 |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | 原廠封裝 |
| 數量： | 9000 |
| QQ： | |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 3（168 小時） |
| 類別： | 存儲卡，模塊 |
| 產品族： | 存儲器 - 模塊 |
| 系列： | - |
| 存儲器類型： | DDR3 SDRAM |
| 存儲容量： | 4GB |
| 速度： | 1600MT/s |
| 封裝/外殼： | 240-UDIMM |
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技術參數品牌：MICRON/鎂光型號：MT8JTF51264AZ-1G6E1批號：21+封裝：原廠封裝數量：9000QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：3（168小時）類別：存儲卡
| 品牌： | MICRON/鎂光 |
| 型號： | MT8JTF51264AZ-1G6E1 |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | 原廠封裝 |
| 數量： | 9000 |
| QQ： | |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 3（168 小時） |
| 類別： | 存儲卡，模塊 |
| 產品族： | 存儲器 - 模塊 |
| 系列： | - |
| 存儲器類型： | DDR3 SDRAM |
| 存儲容量： | 4GB |
| 速度： | 1600MT/s |
| 封裝/外殼： | 240-UDIMM |
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