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ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTD110N02RT4G MOSFET 24V 110A N-Channel

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：NTD110N02RT4G
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-11-04 20:32:47
  • 瀏覽次數(shù)：6
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1175條
  • 所在地區(qū)：
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON
型號(hào)：NTD110N02RT4G
批號(hào)：21+
封裝：SO/DIP
數(shù)量：60000
QQ：
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-252-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：24 V
Id-連續(xù)漏極電流：110 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：4.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：2.88 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
高度：2.38 mm
長(zhǎng)度：6.73 mm
系列：NTD110N02R
晶體管類型：1 N-Channel
寬度：6.22 mm
正向跨導(dǎo) - 最小值：44 S
下降時(shí)間：21 ns
上升時(shí)間：39 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：27 ns
典型接通延遲時(shí)間：11 ns
單位重量：4 g
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