技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI7108DN-T1-GE3 |
| 批號： | 13+ |
| 封裝： | QFN |
| 數(shù)量： | 530 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標準交貨期： | 14 周 |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-N-通道-20V-14A（Ta）-1.5W（Ta）-PowerPAK®-1212-8 |
| 數(shù)據(jù)列表： | Si7108DN; |
| 標準包裝： | 3,000 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態(tài)： | 有源 |
| 類別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | TrenchFET® |
| 其它名稱： | SI7108DN-T1-GE3TR |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 20V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 14A（Ta） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（值）： | 4.9 毫歐 @ 22A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 30nC @ 4.5V |
| Vgs（值）： | ±16V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 1.5W（Ta） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝： | PowerPAK® 1212-8 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® 1212-8 |
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