技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | FDMS3669S |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | QFN8 |
| 數量： | 3000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標準交貨期： | 16 周 |
| 詳細描述： | MOSFET-陣列-2-N-溝道（雙）非對稱型-30V-13A-18A-1W-表面貼裝型-Power56 |
| 數據列表： | FDMS3669S; |
| 標準包裝： | 3,000 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態： | 有源 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 |
| 系列： | PowerTrench® |
| 其它名稱： | FDMS3669STR |
| FET 類型： | 2 N 溝道（雙）非對稱型 |
| FET 功能： | 邏輯電平門 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 13A，18A |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 10 毫歐 @ 13A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 24nC @ 10V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 1605pF @ 15V |
| 功率 - 值： | 1W |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | 8-PowerTDFN |
| 供應商器件封裝： | Power56 |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。