技術參數(shù)
| 品牌： | Onsemi |
| 型號： | NTD25P03LT4G |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO-252 |
| 數(shù)量： | 50000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-4 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 25 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 80 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 5 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 15 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 75 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 2.38 mm |
| 長度： | 6.73 mm |
| 系列： | NTD25P03L |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 13 S |
| 下降時間： | 16 ns |
| 上升時間： | 37 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 15 ns |
| 典型接通延遲時間： | 9 ns |
| 單位重量： | 4 g |
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