技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | Onsemi |
| 型號： | FCH099N60E |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO-247 |
| 數(shù)量： | 600 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風(fēng)格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 37 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 87 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 30 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 3.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 114 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 357 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標(biāo)名： | SuperFET II |
| 封裝： | Tube |
| 高度： | 20.82 mm |
| 長度： | 15.87 mm |
| 系列： | FCH099N60E |
| 寬度： | 4.82 mm |
| 商標(biāo)： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 31.4 S |
| 下降時間： | 22 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 23 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 450 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 92 ns |
| 典型接通延遲時間： | 24 ns |
| 單位重量： | 6.390 g |
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