
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | Onsemi |
| 型號(hào): | NVMFS6B14NLWFT1G |
| 批號(hào): | 21+ |
| 封裝: | DFN-8 |
| 數(shù)量: | 30000 |
| QQ: | |
| 描述: | MOSFET N-CH 100V 11A DFN5 |
| 對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況: | 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級(jí) (MSL): | 1(無限) |
| 詳細(xì)描述: | 表面貼裝型-N-通道-100V-11A(Ta)-55A(Tc) |
| 數(shù)據(jù)列表: | NVMFS6B14NL; |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1,500 |
| 包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)卷帶 |
| 零件狀態(tài): | 有源 |
| 類別: | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族: | 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 其它名稱: | NVMFS6B14NLWFT1GOSTR |
| FET 類型: | N 通道 |
| 技術(shù): | MOSFET(金屬氧化物) |
| 漏源電壓(Vdss): | 100V |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): | 11A(Ta),55A(Tc) |
| 驅(qū)動(dòng)電壓( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(值): | 13 毫歐 @ 20A,10V |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(值): | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(值): | 8nC @ 4.5V |
| Vgs(值): | ±16V |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(值): | 1680pF @ 25V |
| FET 功能: | - |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 安裝類型: | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼: | 8-PowerTDFN |




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